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日本Coper Electronics 介紹一種功率半導(dǎo)體熱阻測試儀瞬態(tài)熱阻測量儀

更新時間:2024-04-15      瀏覽次數(shù):302
  介紹一種功率半導(dǎo)體熱阻測試儀。
 
  熱阻測量器
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瞬態(tài)熱阻測試儀系列
 
  瞬態(tài)熱阻測量儀是測量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬態(tài)熱阻的裝置。
 
  BJT瞬態(tài)熱阻測量儀是向集電極·發(fā)射極間施加指的定的功率,使芯片溫度上升,求出其前后的微小電流(Im)引起的基極·發(fā)射極間電壓差(ΔVBE)的裝置。 這樣可以推測試料的熱阻。
 
  IGBT瞬態(tài)熱阻測量儀與BJT瞬態(tài)熱阻測量儀一樣,是計算柵極發(fā)射極之間電壓差(ΔVGE)的測量儀。
 
  P-MOS FET瞬態(tài)熱阻測量儀與BJT瞬態(tài)熱阻測量儀一樣,是計算柵極和源極之間電壓差(ΔVGS)的測量儀。
 
  可以在BJT瞬態(tài)熱阻測試儀的基極、發(fā)射極之間測量二極管的δVF。
 
  ◇主要規(guī)格

施加電壓

2~30/100/600/1200V

通電電流

0.1至30/100/200/500/1000 a

電力施加寬度

100、200和500μs
1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms
1S,2S,30S,DC

測量電流( Im )

1至1~99/199/999mA

測量范圍

ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V )
ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )

采樣點

Td 50~990μS

 
  ※熱電阻測量儀有功率限制,電壓、電流施加時間會限制可測量的區(qū)域。 此外,根據(jù)規(guī)格的不同,裝置的大小和重量會有很大的變化。 上述規(guī)格僅為一個例子,設(shè)計、制作需要詳細(xì)協(xié)商。
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