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napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率

napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹
簡單的測量儀器,只需將樣品插入探頭之間即可測量
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件
*由于探頭為固定型,請在購買前從多種類型中選擇一種。

  • 產(chǎn)品型號:PVE-80
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2023-04-15
  • 訪  問  量:664
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產(chǎn)品詳情
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napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹

napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹



產(chǎn)品特點

  • 以脈沖電壓勵磁法為測量原理的非接觸式電阻測量系統(tǒng),可在不損壞樣品的情況下進行測量。

  • 節(jié)省空間的設計主體,便攜式可拆卸舞臺

  • 通過PC(專用軟件)輕松進行測量操作、數(shù)據(jù)存儲和管理

  • 可根據(jù)應用改變測量顯示單位(薄層電阻、電導率、電導率)

    *本產(chǎn)品采用本公司與千葉大學共同開發(fā)的脈沖電壓勵磁方式

測量規(guī)格

測量對象

新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導電薄膜(金屬、ITO等)
化合物半導體(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)

測量尺寸

~ A4 尺寸 (W300 x D210mm)

測量范圍

50μ 至 1mΩ/sq


產(chǎn)品特點

便于攜帶和測量的便攜式薄層電阻測量儀:DUORES

可根據(jù)測量對象更換兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)。

款可與兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)互換使用的便攜式薄層電阻測量儀
• 只需放置/應用探頭即可自動測量
• 電池連續(xù)工作時間:24 小時(*電池使用中)
顯示數(shù)據(jù)數(shù):最多 100(*從最近的數(shù)據(jù)顯示)

• 保存數(shù)據(jù)數(shù):最大50,000(*通過專用軟件顯示)
• 測量數(shù)據(jù)傳輸功能:USB-Mini
• 顯示:3種顯示單位(Ω/□、S/□、n/m [金屬膜厚度換算) ]), 4 位浮點數(shù) (0.000 到 9999)

* 我們也只出售主機 + 非破壞型探頭,主機 + 接觸式探頭。


產(chǎn)品特點

  • 節(jié)省空間,使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理

  • 非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量

  • 探頭可拆卸和更換,因此每個量程的探頭都可以輕松更換。

  • (*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭)

  • 1 中心點測量

  • 厚度和溫度修正功能(硅晶圓)

測量規(guī)格

測量對象

半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)


測量尺寸

3 至 8 英寸,~156 x 156 毫米
(可選;2 英寸或 12 英寸,~210 x 210 毫米)

測量范圍

[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時)
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
(*所有探頭類型的總范圍)

產(chǎn)品特點

  • 只需觸摸手持探頭即可測量電阻

  • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換

  • 通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件

  • 可互換連接器連接的電阻測量探頭支持各種電阻

  • (電阻探頭:最多可使用2+PN判斷探頭)


測量規(guī)格

測量對象

半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)

測量尺寸

不受樣品尺寸和形狀的影響(但是,大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品)均可測量


測量范圍

[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時)
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq

  • 節(jié)省空間,使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理

  • 非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量

  • 探頭可拆卸和更換,因此每個量程的探頭都可以輕松更換。

  • (*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭)

  • 1 中心點測量

測量對象

半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)




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